何力，男，汉族，1957年8月生，无党派人士。1988年在日本北海道大学获得博士学位，随后在日本、德国、美国从事了多年II-VI族和III-V族半导体材料和器件等研究工作。1994年起在中国科学院上海技术物理研究所从事镉汞红外探测器材料和器件的相关研究工作。现任中国科学院上海技术物理研究所研究员，博士生导师，学术委员会主任，上海市政府参事。第十一届上海市人大代表，第十二、十三届全国政协委员。参加、合作主持了国家“863”高技术计划的研究工作。主持国家杰出青年科学研究基金、上海市科学研究基金以及中国科学院院长基金的有关Ⅱ—Ⅵ族半导体薄膜材料的项目研究。在国家“九五”计划中，主持国家半导体光电子薄膜材料的重点研究项目。

人物经历

- 1982-07~1985-07 日本东京电气通讯大学电子工程系 硕士

- 1985-07~1988-02 北海道大学电机工程系 博士

- 1990-11~1990-12, 中科院上海技术物理研究所, 所长、研究室主任

- 1990-12~1992-12, 维尔茨堡大学物理所, 德国洪堡基金会研究员

- 1992-12~1994-12, 普渡大学电气工程系, 博士后

- 2004-09~2008-06, 中科院上海技术物理研究所, 副所长

- 2008-06~2013-07, 中科院上海技术物理研究所, 所长

- 2019-12~, 上海市政府参事

研究方向

长期从事化合物半导体薄膜材料及碲镉汞红外探测器研究工作。 主要集中在新型红外探测器复杂结构材料的设计、实现工艺和性能评价，特别是第三代红外成像探测器技术相关的基础理论研究、基础材料和芯片加工技术研究等方面的研究工作。

学术成果

他通过一系列科技创新，在短期内使我国Ⅱ—Ⅵ族半导体薄膜材料水平迅速获得提高，在国内首次制备出大面积、高性能、均匀的碲镉汞薄膜材料，突破了过去材料制备工艺稳定性、材料参数的可重复性十分低下的难点，获得了大于97%的长晶以及组合合格率，性能达到国际最好水平。材料的大面积均匀性、P型材料的电学参数优于国际近年报道的最好水平；材料生长可重复性指标以及位错密度指标等为国标用同类衬底制备材料的先进水平。在蓝绿激光器研究中解决了欧姆接触关键技术，处于当时的国际领先地位，获得了2项美国专利，得到国际同行的高度重视，被国际上几乎所有Ⅱ—Ⅵ族激光器研制单位采用至今。他首次提出了利用GaAs同质外延技术抑制层错缺陷、提高激光器寿命的方法，这些技术仍然是蓝绿激光研制的主要技术手段。

在国内外学术刊物、学术会议上发表论文110余篇，获美国专利1件。研究结果得到国际上的大量引用。根据1995年就其中12篇论文的国际联机检索结果，被引用达126次。

论文

MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者

MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 第 1 作者

著作

先进焦平面技术导论, Introduction to advanced focal plane arrays, 国防工业出版社, 2011-01, 第 1 作者

荣誉记录

- 1998年被任命为国家“863”高技术计划信息领域光电子技术主题专家组成员

- 获1997上海市科技进步一等奖

- 中国科学院长特别基金

- 上海市优秀学科带头人资助计划

参考资料

上海技物所何力研究员受聘上海市政府参事.中国科学院上海技术物理研究所.2024-04-01

何力.上海市人民政府参事.2024-04-01