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李肇基教授，博士导师，享受国家特殊津贴专家，四川省科技顾问团顾问。1963年毕业于（现电子科技大学）半导体专业。
李肇基教授，1963年至今在该校从事半导体和微电子学方面的科研和教学工作，多次荣获“三育人”先进个人、优秀教师等称号，其中1982年至1984年作为访问学者赴美国佐治亚理工学院工作，1984年回国后主要研究领域是新型功率器件和智能功率集成电路。指导博士生和硕士生五十余名，鉴定科技成果12项，获国家专利两项，获国家科技进步三等奖，国家发明四等奖、电子部科技进步奖等8项。在IEEE等发表论文四十余篇，被邀为国际杂志《Solid-State Electronics》审稿人。作为课题负责人之一的八·五攻关项目"新型功率MOS器件"于1996年11月获国家计委，国家科委和财政部联合表彰。在IEEE Trans ED（1994，No.12）等中，提出了CLIGBT有非平衡电子抽出的模型和网络模型及模型直接嵌入法。并提出一种具有键合衬底的绝缘栅场效应晶体管（IGBT），此结构可普适于电导型调制功率器件，获发明专利。用国产单晶硅材料取代昂贵的进口外延片制作IGBT。在IEEE Trans. ED（1994，No.12）提出CLIGBT瞬态响应模型。在Solid-State Electron（1991，No.3）提出功率MOS晶体管热特性分析的全热程电热模型。在Solid-State Electron（2000，No.1）中提出电导调制型功率器件的非平衡载流子非准静态抽出模型。在ICCCAS（2002 June）提出了SOI高压横向器件的新结构及其界面电荷耐压模型。
§ MOS类新型电力电子器件及其技术"，国家科技进步三等奖，1998（2）；
§ 一种具有复合屏蔽层耐压的高速高压功率半导体器件"，国家发明四等奖，1996（2）；
§ "XXXX功率器件"，国防科技二等奖，2000（1）；
§ "灵巧功率集成电路设计技术，1996~2000"。已由中国电力科学研究院有限公司主持鉴定，达到国际先进水
平，验收获优。
§ "XXXX集成电路研究，1996~2000"。已由电科院主持鉴定，达到国际先进水平，
验收获优。
§ 两个项目获2001年国防科技进步二等奖。
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§ X. B. Chen，B. Zhang and Z. J. Li，Theory of Optimum 设计 of Reverse-Biased p-n
Junctions using Resisted Field plates and Variation Lateral Doping,
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