更新时间：2024-09-21 01:53
杨跃德，男，博士，副研究员，硕士生导师。2004年毕业于北京大学物理学院物理学专业获学士，同年进入中国科学院半导体所攻读博士，2009年获物理电子学博士学位。2011-2013年在香港科技大学电子及计算机工程学系从事博士后研究工作。现任中科院半导体研究所副研究员。
现任中科院半导体研究所副研究员。
半导体激光器、微腔物理特性、半导体光电子集成。
长期致力于光学微腔模式特性及半导体微腔激光器的研究。多年来，在973、863及国家自然基金等课题的支持下，在回音壁型光学微腔模式耦合、辐射损耗机理与控制方法、高速半导体微腔激光器、InP/Si键合激光器、Si基模分复用器件等研究方面取得了一系列创新性的重要成果。在OpticalExpress，PhysicalReviewA，J.LightwaveTechnology等国内外刊物发表文章80余篇，授权专利多项。