更新时间：2024-09-20 12:55
欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区（Active region）而不在接触面。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。
欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。
欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：
（1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)
（2）半导体有高浓度的杂质掺入()
前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加；后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。
若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(能量 Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函的材料将带有少量正电荷而高功函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的 屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。
欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带底。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体， 当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中Eg是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
在MKS单位制 ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到
积分常数 根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有
其中被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置来决定，结果为
对于，是完全耗尽的半导体中离子化的施主和受主净电荷密度Ndopant以及e是电荷。ρ和Vbi对于n型半导体取正号而对于p型半导体取负号，n型的正曲率V''(x)和p型的负曲率如图所示。
从这个大概的推导中可注意到势垒高度（与电子亲和性和内建场相关）和势垒厚度（和内建场、半导体绝缘常数和掺杂密度相关）只能通过改变金属或者改变掺杂密度来改变。总之工程师会选择导电、非反应、热力学稳定、电学性质稳定且低张力的接触金属然后提高接触金属下方区域掺杂密度来减小势垒高度差。高掺杂区依据掺杂种类被称为 n + 或者p + 。因为在隧穿中透射系数与粒子质量指数相关，低有效质量的半导体更容易被解除。另外，小禁带半导体更容易形成欧姆接触因为它们的电子亲和度（从而势垒高度）更低。
上述简单的理论预言了，因此似乎可以天真的认为功函靠近半导体的电子亲和性的金属通常应该容易形成欧姆接触。事实上，高功函金属可以形成最好的p型半导体接触而低功函金属可以形成最好的n型半导体接触。不幸的是实验表明理论模型的预测能力并不比上述论断前进更远。在真实条件下，接触金属会和半导体表面反应形成具有新电学性质的配位化合物。界面处一层污染层会非常有效的增加势垒宽度。半导体表面可能会重构成一个新的电学态。接触电阻与界面间化学细节的相关性是导致欧姆接触制造工艺可重复性为如此巨大的制造挑战的原因。
接触电阻可以通过比较比较带有欧姆表的四探针测量（four-probe measurement）和简单的两探针测量结果来粗略估计。在两探针测量中，测量电流导致同时跨越探针和接触的势降，从而这些元件的电阻与真是元间的电阻是串联而不可分离的。在四探针测量中，一对探针用於注入测量电流同时另一对并联的探针用於测量跨越器件的势降。在四探针情形下，没有通过电压测量探针的势降因而接触电阻降并不包括其中。从两极法和四极法推导的电阻差值是对接触电阻合理准确的测量假设探针电阻足够小而忽略不计。特性接触电阻可以通过乘以接触面积来得到。
随著集成电路制备过程的发展，远更复杂的接触电阻测量被使用，最流行的方法即为传输线测量。传输线测量的基本思路是描绘类似接触之间同宽不同长度的条状电阻值。结果曲线的斜率是块状薄膜电阻率（resistivity）的函数而截距即为接触电组（resistance）。
欧姆接触制备是材料工程里研究很充分而不太有未知剩余的部分。可重复且可靠的接触制备需要极度洁净的半导体表面。例如，因为天然氧化物会迅速在硅表面形成，接触的性能会十分敏感地取决于制备准备的细节。
接触制备的基础步骤是半导体表面清洁、接触金属沉积、图案制造和退火。表面清洁可以通过溅射蚀刻、化学蚀刻、反应气体蚀刻或者离子研磨。比如说，硅的天然氧化物可以通过蘸氢氟酸（HF）来去除，而砷化镓（GaAs）则更具代表性的通过蘸溴化甲醇来清洁。清洁过后金属通过溅射、蒸发沉积或者化学气相沉积（CVD）沉积下来。溅射是金属沉积中比蒸发沉积更快且更方便方法但是等离子带来的离子轰击可能会减少表面态或者甚至颠倒表面电荷载流子的类型。正因为此更为平和且依然快速的心血管疾病是更加为人所倾向的方法。接触的图案制造是通过标准平版照相术来完成的，比如剥落中接触金属是通过沉积于光刻胶层孔洞之中并稍后取出光刻胶来完成的。沉积后接触的退火能有效去除张力并引发有利的金属和半导体之间的反应。
而在具体制作M-S欧姆接触时，为了使接触良好，以减小接触电阻，往往在金属与半导体接触之后还需要进行退火处理，这就会带来若干问题。对于用得较多的金属电极材料Al，当把Al-Si接触系统放在气中加热到475oC时，几分钟后Al即可穿过其表面上很薄的自然氧化层而到达Si表面，并与Si相互扩散、很好地熔合成一体，能够得到很好的欧姆接触；但是，如果采用Al在浅n-p结或浅p-n结上来制作欧姆接触的话，那就容易产生很大的弊病——出现毛刺，这会使p-n结发生穿通或短路（这是由于在接触面上Al、Si原子的不均匀相互扩散所致）；解决此问题的一个办法就是在金属Al中加入少量的Si，以抑制在退火时出现毛刺。
在现代IC工艺中，Al不能完全满足要求。因为在IC工艺中，当欧姆接触形成之后还需要施行500oC以上的其它工艺步骤，而Al-Si接触系统承受不了这么高温度的处理，则难以满足热稳定性的要求。所以，在IC中往往改用难熔金属（Mo、Ta、Ti、W）的硅化物来制作欧姆接触，这样可以获得很高的温度稳定性。不仅如此，而且这种硅化物还能够改善欧姆接触的性能。例如，对于使用最为广泛的金属硅化物，由于在把Si上的Ti膜经热处理而形成的过程中，将要消耗掉半导体表面上的一薄层Si，从而也就相应地去掉了Si片表面上的缺陷和一些沾污，所以能够获得干净、平整、性能良好的欧姆接触。因此，难熔金属的硅化物是一种较好的欧姆接触金属材料。
除了采用高掺杂和引入复合中心这些措施来实现欧姆接触以外，采用窄带隙半导体构成的缓变异质结，也可以实现对宽带隙半导体的欧姆接触。譬如利用MBE技术制作的n-InAs/n-GaAs或者n-Ge/n-GaAs异质结，就是很好的欧姆接触。
Si和GaAs器件及其IC的欧姆接触技术已经比较成熟，但是对于在p型Ⅲ-Ⅴ族半导体上的欧姆接触还不太容易做好，因为在退火时或在空气中时，p型Ⅲ-Ⅴ族半导体（如p-AlGaAs）的表面要比n型的表面更容易氧化。此外，对于许多宽带隙半导体（如、、、）的欧姆接触，在技术上尚很不成熟，其原因是这种半导体的自补偿作用（即大量的晶体本征缺陷对于施主杂质或者对于受主杂质的自发补偿作用）很严重，它们是所谓单极半导体，从外面掺入再多的杂质也难以改变其电阻率，更难以改变其型号，所以想要利用高掺杂来获得欧姆接触是很困难的；这里一种可行的办法就是加上一层高掺杂（型号相同）的窄带隙半导体、构成一个异质结来实现欧姆接触。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散（比如太阳能电池）。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。