锑化镓是一种III-V族半导体材料，由锑和镓组成，晶格常数为0.61纳米，能隙为0.726电子伏特。虽然对于锑化镓的研究不如其他半导体材料深入，但近年来由于光纤通信技术的发展，对新器件的潜在需求，锑化镓越来越引起人们的兴趣。在光通信中，为了减少传输中的损耗，总是尽可能采用较长波长的光，而锑化镓可以作为衬底材料与各种III-V族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配，可以制造更长波长范围的探测器。除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外，锑化镓还可以用于制作多种用途的红外探测器件、火箭和监视系统中的红外成像器件、用于火灾报警和环境污染检测的传感器、监测工厂中腐蚀气体和有毒气体的泄漏的传感器等。此外，锑化镓还可以用来制造红外发光二极体、电晶体、激光二极体等器件。

正文

中文名称：锑化镓

英文名称：Gallium antimonide

英文别名：Antimony, compd. with gallium (1:1); Gallium antimony (GaSb); stibanylidynegallium; gallium antimony

CAS号：12064-03-8

EINECS号：235-058-8

分子式：GaSb

分子量：191.4814