非挥发性记忆体是当断电或电流被关掉后，储存在记忆体里面的资料不会消失的记忆体。按记忆体内的资料在使用电脑时是否能被随时改写，分为ROM（Read Only Memory）和Flash（快闪记忆体）两类。

分类

非挥发性记忆体中依记忆体内的资料是否能在使用电脑时随时改写为标准，又可分为ROM(Read Only Memory)和Flash(快闪记忆体)2大类。如今Flash正广泛应用在各种不同领域，尤其是手机、数位相机、MP3播放器等行动产品。

记忆体分为挥发性记忆体(Volatile Memories；VM)和非挥发性记忆体(Non-Volatile Memories；NVM)。挥发性记忆体代表为DRAM和sram等，如今全球生产供应商包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、尔必达(Elpida)等。

特性

非挥发性记忆体的特性是在关电的情况下，资料仍是存在，因此非常适合用来做资料储存，例如应用在快闪记忆卡、随身碟、MP3播放器、固态硬碟(SSD)等，最具代表性的则是NAND Flash晶片，其他还有NOR Flash、ROM、PROM、EPROM、EEPROM等，全球主要供应商包括三星电子、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)、海力士、美光、英特尔(Intel)等。

再者，未来“整合型记忆体”的候选名单，包括FeRAM(铁电随机存取记忆体)、PCRAM(相变RAM)、RRAM(电阻式 RAM)、STT-MRAM(自旋电子力矩翻转RAM)等，将针对其材料和结构，找出符合高速、高密度和非挥发性特性的新一代记忆体产品，并且有能力将其导入商业化，如同现今的NAND Flash晶片一样，被大量的应用在科技和生活领域。

趋势

由于应用需求的推动，非挥发性记忆体技术发展非常迅速。由于应用需求的推动，非挥发性记忆体技术发展非常迅速。过去，许多应用只需储存少量启动程式码即可，而今的应用却需要储存数GB的音乐和视讯数据，也因此为非挥发性记忆体的发展带来革命性的变化。非挥发性记忆体起源于简单的光罩唯读记忆体( ROM )，随后演变成PROM，再后来成为EPROM。而1988年英特尔公布了快速随机存取的NOR快闪记忆体。而1988年英特尔公布了快速随机存取的NOR快闪记忆体。尽管EPROM技术已经有了10多年的历史，成熟度也大为完善，NOR快闪记忆体还是迅速占领了EPROM的记忆体介上市场。而NAND快闪记忆体比NOR技术更早，已经有20多年历史了。最初，NAND快闪记忆体的年度发货量增幅缓慢，后期则成为市场上炙手可热的产品，其在市场上取得的成功主要归功于它独特的特点。

从读取和写入的角度来看，挥发性记忆体通常都是非常快速的，而非挥发性性记忆体的写入一般较为缓慢；非挥发性记忆体还在写入上存在着固有的局限性，在一定次数的写入作业后，记忆体会达到自己的承受极限而出现故障。而理想的记忆体应当具备非挥发性以及与sram类似的存取速度，同时没有读取/写入限制，以及只消耗非常少的功率，这正是推动最新一代非挥发性记忆体快速发展的因素。

没有任何一款新记忆体能够在所有领域都取得优势，但这些记忆体均在记忆体特性的某些重要方面取得了关键性的进步。 nvsram 、 FRAM等产品正朝此方向努力。

参考资料