更新时间：2024-09-20 22:17
早年在浙江大学信息与电子工程系(原无线电系) 取得本科（1985年）和硕士（1988年）学位，后留校任教；1993年获全额奖学金赴美国旧金山湾区的加利福尼亚大学伯克利分校(University of 加利福尼亚州 at Berkeley)电子工程与计算机科学系攻读博士学位。
在世界半导体领域极负盛名的大师胡正明教授指导下从事超大规模集成半导体芯片技术研究。
在其技术研究领域可谓硕果累累，拥有半导体器件与芯片技术相关的美国专利二百六十余项和数十项欧洲、日本专利。在AMD多次获得发明奖励，并列为AMD公司特殊贡献人员。也是全球半导体工业界拥有美国专利数量最多的研发人员。2008年起他任纽约州立大学纳米科学与工程学院教授，目前正从事“后硅”时代纳米电子器件的研究。俞滨博士是 IEEE Fellow 和IEEE杰出讲师（Distinguished Lecturer），在纳米级沟道长度的双栅CMOS器件方面创造了许多个“世界第一”。