施敏(美国工程院院士、微电子专家)

施敏：美国工程院院士、微电子专家

更新时间：2024-09-20 22:21

施敏（1936年3月21日-2023年11月6日），号福佑，江苏吴江震泽人，生于南京，微电子科学技术、半导体器件物理专家，“台湾中央研究院”院士、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授。施敏在半导体领域的贡献卓越，与姜大元共同发明了非挥发性记忆体（Flash），并著有被誉为“半导体界的圣经”的《半导体元件物理学》。他曾任职于美国贝尔实验室与台湾交通大学电子工程系教授、台湾阳明交通大学与台湾科技大学的荣誉讲座教授、及美国斯坦福大学电机系顾问教授。施敏是电机电子工程师学会（IEEE）会士、尊荣会员。2021年9月12日，获2021未来科学大奖数学与计算机科学奖。2023年11月6日，施敏去世，享年87岁。

人物生平

1936年3月21日，施敏出生于中国江苏省南京市，之后随家人前往台湾，父亲施家福是留学法国的矿冶专家，后被调任为台湾金铜矿务局局长，施敏全家于1948年12月迁居台湾。1957年，毕业于台湾大学电机系，之后赴美留学。1960年，获得华盛顿大学电机系硕士学位。1963年，获得斯坦福大学电机系博士学位，博士毕业后，在斯坦福大学教授John Moll推荐下进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。

1966年夏，施敏在台湾学界的邀请下回到台湾讲课，在台湾清华大学暑期举办了两个月的讲座。1968年，选择留职停薪，把贝尔实验室的工作停摆了下来，回到台湾于台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年，在电子研究所开设《半导体元件物理》《固态电子元件实验》两门课程。1969年初，以论文《金属半导体薄膜结构之特性》获得中山学术著作奖。同年7月参与创办台湾第一家半导体公司环宇电子Inc.，担任技术顾问，而任职的工程人员包括宏碁创始人施振荣。

1989年，自贝尔实验室退休。1990年，开始于台湾交通大学电子工程系任教，担任电子与资讯研究中心主任。1991年，获得电气和电子工程师协会电子器件Ebers奖。1994年，当选为“台湾中央研究院”院士（数理组）。1995年，当选为美国国家工程院院士。1998年，当选为中国工程院外籍院士。1998年，担任台湾奈米元件实验室主任（至2004年）。2004年，担任台湾奈米元件实验室资深顾问。2010年6月，获赠台湾交通大学终身讲座教授。2014年6月，获赠台湾科技大学荣誉讲座教授。2017年12月，获IEEE颁赠2017年度“尊荣会员”。2018年5月25日，到西安交通大学进行访问交流。

主要成就

科研成就

1967年，施敏与韩裔美国人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），5月两人在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上发表第一篇关于非挥发性内存的论文“浮闸非挥发性半导体内存细胞元件”，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，随后由贝尔实验室取得专利。1969年，施敏编著的《半导体元件物理学》（Physics of 半导体 Devices）第一版出版，之后被翻译成六国文字，被广泛用作教科书与参考书。1970年代，时任台湾地区经济事务主管部门负责人孙运邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一，施敏所提出的最关键建言，就是力荐孙运璿要推动半导体业。20世纪80年代初，施敏首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。

人才培养

1968年，台湾设立工程博士班，施敏担任首位工程博士候选人张俊彦的论文导师，1970年张俊彦以《金属半导体接口载子传导》为论文题目，通过口试成为台湾第一位工程博士。指导的学生卢超群1999年当选为美国国家工程学院院士。2003年以来，施敏在中国内地高校，包括西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、苏州大学和安徽大学，开设“半导体物理和设备”这门课程，该课程主要是为了培养更多的中国学生参与到半导体设备领域。2005年，在上海交通大学开设了一门INTENSIVE COURSE，为期三周共18节课。