潘必才，男，1962年8月生于安徽省潜山县（潜山市），中国科学技术大学理学博士，教授，博士生导师。他在1993年获得了博士学位，并在1995-1997年及2000-2003年间在美国Ames国家实验室进行合作研究。潘必才教授曾获得第四届安徽省青年科技奖（1999年）和第七届中国青年科技奖（2001年）。

人物经历

1993年于中国科学技术大学获理学博士学位。

1995-1997年和2000-2003年在美国Ames国家实验室合作研究。

1999年获第四届安徽省青年科技奖。

2001年获第七届中国青年科技奖。

教学工作

潘必才教授主讲的课程包括量子力学（本科生）、原子物理（本科生）和固体计算物理（研究生）。他还致力于凝聚态物理理论计算、核材料性能的理论研究，以及紧束缚势模型的理论研究工作。

研究方向

潘必才教授的研究方向主要集中在：

1) 紧束缚势模型的发展；

2) 复杂凝聚态体系（表面，纳米，团簇）的理论计算研究；

3) 团簇、纳米线/纳米管、固体表面、块体材料中缺陷的结构、电子结构和振动性质研究。

代表性论文

潘必才教授发表了多篇具有代表性的论文，其中包括：

1. B. C. pan, Electronic structures of an extra Si atom diffusing in the Si (111)(7x7)surface, Surface Science (in press).

2. A. J. Lu, B. C. Pan*, J. G. Han, Electronic and vibrational properties of diamondlike hydrocarbons, Phys.rev. B 72, 035447(2005).

3. B. Xu, A. J. Lu, B. C. pan*, Q. X. Yu, Atomic structures and mechanical properties of single-crystal GaN nanotubes, Phys. Rev. B 71, 125434(2005).

4. A. J. Lu, B. C. Pan*, Interaction of 氢 with vacancies in a (12,0) 碳 nanotube, Phys. REV B 71, 165416(2005).

5. B. C. pan, R. Biswas, Structure and simulation of hydrogenated nanocrystalline 硅, J. Appl. Phys. 96, 6247(2004).

6. A. J. Lu, B. C. Pan*, Nature of single vacancy in achiral 碳 nanotubes, Phys. Rev. Lett. 92, 105504(2004).

7. R. Biswas, B.C. pan, Y.Y. Ye, Metastability of amorphous 硅 from silicon network rebonding, Phys. Rev. Lett. 88, 205502(2002).

8. B.C. Pan, Tight-bonding potential for hydrocarbons, Phys. REV B 64, 155408(2001).

9. K.M. Ho, A. A. Shvartsburg, Bicai pan, Zhong-Yi Lu, C.Z. Wang, J.G. Wacher, J.L. Fye and Martin F. Jarrold, Structures of medium-sized 硅 clusters, Nature (伦敦) 392, 582(1998).

10. The nature of radiative transitions in O-doped boron nitride nanotubes, Journal of American Chemical Society, 131, 4839 (2009).

11. Molecular 动力学 simulations of the metallic behavior of the Si(001) surface at high temperatures, Phys. REV B, 77, 113301 (2008).

12. Enhancing the topological structures of defected 碳 nanotubes with adsorbed hydrocarbon radicals at low temperatures, Phys. Rev. B, 75, 113401 (2007).

13. Possible lowest-reactivity structure of the 硅 cluster Si45, Phys. REV B, 73, 045417 (2006).

14. Formation energies of topological defects in 碳 nanotubes, Phys.Rev.B, 62, 12652 (2000).

参考资料