更新时间：2024-09-21 08:25
《硅锗的性质》是由卡斯珀主编，31位来自全球各国的教授参与撰稿的专著，于2002年由国防工业出版社出版。该书主要论述了SiGe/Si知识，被视为Si基异质结构和应用领域的权威性参考资料。
自双极晶体管发明后，电子半导体的基本材料从锗转变为硅。1960年前后这一转变时期，人们对无应变的SiGe合金体材料产生了浓厚兴趣。1985年起，分子束外延等先进外延生长技术使得在Si衬底上生长高质量薄膜的应变SiGe层成为可能。SiGe/Si结构的研制大大刺激了对硅基异质结构的研究，随后几年内，研制出了最快的硅基晶体管，并显示出了许多令人神往的机遇。本书第一章综述了需要注意的应变层系统的一些总体性质。SiGe/Si异质结构中，Si和Ge具有类似的化学特征，使其化学效应降至最低，因此，在应力的驱动下，这种异质结构会产生一些物理现象，我们可以将其看作是典型的系统。
译者：余金中
编者：(德国)卡斯珀 (Erich Kasper)
合著者：王杏华 王莉 夏永伟
Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以来一直担任斯图加特大学半导体研究所所长，长期从事量子电子器件的理论和纳米结构自组织的器件结构MBE研究工作，在SiGe的研究领域具有很高的国际声望，并有两本专著和近百篇论文发表。
《硅锗的性质》共七章，第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质；第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质，论述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、磁学特性、表面性质、光吸收和光谱等方面的内容；第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。
《硅锗的性质》是半导体领域的学者和工程技术人员的必读书，适于材料专业和半导体专业的科技人员、研究生、博士生阅读，还可供物理领域中的广大科技人员作为手册进行查阅。
继Si之后，SiGe/Si是研究得最多、最深入的一类Si基异质材料。应变的和弛豫的SiGe已经成为电子集成电路和光电子集成电路的非常重要的材料。