更新时间：2024-09-21 08:45
雷鸣，女，汉族，工学博士，现任西南交通大学超导与新能源研究开发中心副研究员，硕士生导师。她是西南交通大学磁浮列车教育部重点实验室的骨干成员，主要从事高温超导材料制备、高温超导材料应用器件研发、纳米复合涂层材料研制、拓扑绝缘材料与拓扑超导材料研发。雷鸣采用自主研发的狭缝涂敷技术与高分子辅助化学法相结合，制备了长达1米的涂层导体缓冲层，这在化学法制备涂层导体领域处于世界先进水平。近几年，雷鸣主持了国家自然科学基金国家自然科学基金青年科学基金项目管理办法一项，国家博士后面上项目一项，中央高校基本科研业务费专项基金创新项目一项，中央高校基本科研业务专项基金百人计划项目一项，并作为主研参与了973，863，国际合作项目和多项国家自然科学基金面上项目，积累了丰富的科研经验。
教育经历
2007.03-2012.03 --西南交通大学材料科学与工程学院 博士
工作经历
2006.07-2008.12---西南交通大学超导与新能源研究开发中心 实习研究员
2008.12-2016.12---西南交通大学超导与新能源研究开发中心 助理研究员
2016.12--至今 -- -西南交通大学超导与新能源研究开发中心 副研究员
2015.07--至今-- - 西南交通大学电气学院 博士后
海外经历
2013.07-2013.08 美国乔治梅森大学 访问学习
2013.08-2013.08 哈佛大学、麻省理工学院、耶鲁大学、哥伦比亚大学 访问学习----
2014.03-2015.03 美国休斯敦大学德州超导研究开发中心 访问学者
主要研究成果
目前在国内外学术期刊上发表论文25篇，（其中SCI收录19篇）。申请发明专利16项，目前授权9项。
主要研究方向
拓扑绝缘材料与拓扑超导体研发
超导新材料研发
高温超导材料应用器件研发
一. 主持项目
1．国家自然科学基金国家自然科学基金青年科学基金项目管理办法，“狭缝涂覆技术结合高分子辅助化学溶液沉积法动态制备涂层导体带材工艺中关键问题研究”（51202202）；2013.1-2015.12
2． 国家博士后面上项目，“新型拓扑绝缘体研发与制备”（158795）2016.11-2018.11
3． 中央高校专项科研业务费科技创新项目， “动态化学法制备NiO/SCO双层缓冲层（SWJTU2682013CX005）2013.1-2014.12
4． 中央高校百人计划项目“低温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层”（SWJTU09BR153） 2010.1-2011.12
二. 主研项目
1． 国家科技计划项目-国际科技合作项目”先进高场磁体材料Nb3Al制备的联合研发“（2013短发1050）
2． 国家自然科学基金“无化学溶液沉积法动态连续制备第二代高温超导带材SmBCO超导层研究”（51102199）
3． 国家科技计划项目-863计划“高性能MRI用超导线材批量化制备技术” (2014AA032701)
4． 国家科技重大专项“锂与等离子体相互作用的台面试验研究及诊断技术发展” (2013GB114003-1)
5． 国家自然科学基金项目“Nb3Al超导材料的高场特性及调控机理”(51377138)
6． 国家自然科学基金项目“高性能Nb3Al超导材料的制备及成相特征与性能研究”(51271155)
7． 国家级项目“高性能Nb3Al超导线材结构设计、加工和热处理研究”(2011BG112001)
8． 四川省科学技术厅项目“核聚变ITER装置用高温超导带材的研究”(2011S20003)
学术论文
1. M Lei，WT Wang，MH Pu，H Zhang，X Zhang, Y Zhang, Y Zhao, “Preparation of Coated conductors with Fluorine-Free CSD Method”，IEEE Trans. APPL Supercond, 2015, 25(3): 6000304, ISSN: 1051-8223; (SCI, A++)
2. M Lei，M Pu，Y Zhang，Y Zhao, “Annealing Conditions of SCO Buffer Layer via Slot-Die Technique”, IEEE Trans. Appl. Supercond, 2016, 26(4):6600603, ISSN: 1051-8223;(SCI, A++)
3. M Lei，Y Zhang，Y Zhao, “Coating Conditions of SCO Single Buffer Layer via Slot-Die Technique”，IEEE Trans. Appl. Supercond, 2016, 26(3):6601804, ISSN: 1051-8223;(SCI, A++)
4. M Lei，Y Zhang，Y Zhao, “Performance of SCO Buffers Prepared by Dip Coating and Slot-Die Coating Methods”，J Supercond Nov Magn, 2016,6(6), ISSN: 1557-1939, 0; (SCI, A+)
5. M Lei，WT Wang，MH Pu，XS Yang，LJ He, “Fabrication of 5 cm long epitaxial Sm0.2Ce0.8O1.9−x single buffer layer on textured Ni-5%W substrate for YBCO coated conductors via dip-coating P.A.CSD method”，Physica C, 2011(471) 970-973,ISSN: 0921-4534, IDS: 853NQ;(SCI, A)
6. MING LEI，XINSHENG YANG，YONG ZHAO, “Fabrication of SmBiO3/NiO double buffer layer for coated conductors”，International Journal of Modern Physics B, 2013, 27(15):1362018, ISSN: 0217-9792, IDS: 158VQ;( SCI, A)
7. MING LEI, XIFENG pan, XINSHENG YANG, YONG ZHAO, “Preparation of Sm0.2Ce0.8O1.9-x buffer by reel-to-reel Slot-die coating”, International Journal of Modern Physics B, 2013,27(15):1362019,ISSN: 0217-9792, IDS: 158VQ;(SCI, A)
8. M Lei，W Wu，L Mu，Y Zhao, “Preparation of Gd0.3Ce0.7O1.85-x single buffer layer for coated conductor using a novel-PACSD method”, Rare Metal Materials and Engineering 2011, 40 (10): 338-3 41,SCI;(SCI)
9. M Lei，W Wang，M Pu，L He，C Cheng，.Y. Zhao, “Preparation and performance of the Sm0.2Ce0.8O1.9-x Single Buffer Layer Fabricated with Dip-coating,Rare Metal Materials and Engineering”, 2013,42(2):227-231,SCI;(SCI)
10. X.L. Zhu, K. Zhao,L. Zheng, M. Lei*, M.H. Pu, Y. Zhang, Y. Zhao, “ Influence of lattice mismatch in preparation of SmBiO3 buffer layer by CSD method," IEEE Trans. APPL Supercond, DOI (identifier) 10.1109/TASC.2016.2635809, ISSN: 1051-8223;(SCI, A++)
11. Y. Zhao, M. H. Pu, W. T. Wang, M.Lei, C.H. Cheng, H. Zhang. Fabrication and Properties of Coated Conductors with All Fluorine-Free CSD Route, J. Supercond Nov Magn 2010(23): 971–975(SCI, A+)
12. Wentao Wang, Minghua Pu, Weiwei Wang, Ming Lei, Cuihua Cheng, and Yong Zhao, Improved flux-pinning properties of REBa2Cu3O7–z films by low-level Co doping , Phys. Status Solidi A, 208( 9): 2166–2169, (2011) SCI
13. R. P.Sun, M. H. Pu, G. Li, 梁挺 Wang ,M. Pan, H. Zhang, Ming Lei， W. Wu, X. Zhang, Y. Yang, Y. Zhang, Yong Zhao, RE (RE = Sm, Eu, Gd)-doped CeO2 single buffer layers for coated conductors prepared by chemical solution deposition, J. Phys. Status Solidi A. 2009(7): 1414-1419(SCI)
14. X. Zhang, W.T. Wang*, Y. Zhang, M. Zhang, H. Zhang, M. Lei, Y. Zhao, Chemical solution deposition of SrZrO3 buffer layers by different polymer additives，J Supercond Nov Magn., 2013, 26: 147-150 SCI(A+)
15. X. Zhang, W.T. Wang*, Y. Zhang, M. Zhang, H. Zhang, M. Lei, Y. Zhao，Chemical solution deposition of SrZrO3 buffer layers by different polymer additives，J Supercond Nov Magn., 2013, 26: 147-150 SCI(A+)
16. W.T. Wang*, M.H. Pu, M. Lei, H. Zhang, Z. Wang, H. Zhang, C.H. Cheng, Y. Zhao*. Enhanced flux pinning properties in superconducting YBa2Cu3O7_z films by a novel chemical doping approach, Physica C, 2013, 493 104–108. SCI(A)
17. Hong Zhang, Yong Zhao, Wang Wentao, Pan Min, Lei Ming, Low temperature perparation and superconductivity of F-doped SmFeAsO, Journal Of Modern Transportation,22(1) 45-49（2014）
18. Z. Wang, W.T. Wang, X. Zhang, M. Lei, M.J. Wang*, Y. Zhao, Influence of metal cation concentration on structure and performance of SmBCO superconducting films by 查侬·散顶腾古fluorine CSD method, Materials Letters, 2015, DOI http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.04.039. SCI
19. 雷鸣，李果，孙瑞萍，蒲明华，王文涛，武伟，张欣，张红，张勇，程翠华，赵勇*,一种新型化学溶液沉积法制备涂层导体用RE2O3（RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb）缓冲层, 稀有金属材料与工程,38(8)：1458-1461, (2009).
20. 武伟, 蒲明华, 雷鸣, 王文涛，张红，张欣，高顺天，赵勇，高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体Sm0. 2Ce0. 8O1. 9－x缓冲层，低温物理学报，2009(31)：297
21. 王贺龙，蒲明华，张红，雷鸣，王伟，赵勇，NiW 基带上SmBiO3/NiO复合缓冲层的外延生长，低温物理学报，2009（31）：5
22. 李果，蒲明华，孙瑞萍，王文涛，张欣，武伟，雷鸣，张红，杨烨，张勇，程翠华，赵勇等，高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2 缓冲层，稀有金属材料与工程，2009(38)：411-414(SCI)
23. 张欣，蒲明华，张红，雷鸣，张勇，赵勇，化学溶液沉积法制备涂层导体SmBiO3(SBO)缓冲层的研究，低温物理学报，2011(4):246-249
24. 张欣，王文涛，张敏，张勇，张酣，雷鸣，赵勇，高分子辅助化学溶液沉积法制备高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层的研究，功能材料，14（43）:1854-1857, (2012) EI(材料A)
25. 张欣，王文涛*，张勇，张敏，张酣，雷鸣，赵勇，高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体SrZrO3(SZO)缓冲层，中国有色金属学报，2013, 23:162-167, EI（材料）(A)
二. 发明专利
1．“一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法”专利号：ZL201110036396.1授权
2．“一种化学溶液沉积制备Gd2Zr2O7缓冲层的方法”专利号：ZL201210318922.8授权
3．“一种化学溶液动态制备RE：CeO2缓冲层长带的方法”专利号:ZL201210318961.8授权
4．“一种化学溶液沉积法制备RexCe1-xOy/ M2Zr2O7双层缓冲层的方法”，专利号：ZL 201210318962.2授权
5．“一种制备高温超导涂层导体LaSrMn03缓冲层薄膜的方法”专利号ZL201110341294.0授权
6．“一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法”，专利号ZL201110009391.X授权
7．“一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法”，专利号：ZL201110009810。X授权
8．“高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法", 专利号：ZL200810044628.6授权
9．“高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法”，专利号：ZL200810044629。0授权
10．“一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法”，专利号：ZL201210318924.7申请
11．“一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO 缓冲层的方法”，专利号：ZL201110342484.4申请
12． “无氟化学溶液沉积法制备高温超导带材缓冲及超导层连续涂覆装置”，专利号：ZL201110049467.1申请
13．“无氟化学溶液沉积法动态连续制备高温超导带材热处理炉”，专利号：ZL201110049671.3申请
14．“无氟化学溶液沉积法动态连续制备高温超导带材设备”，专利号：ZL201110049633.8申请
15．“一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法”，专利号：ZL201110342517.5申请
16．“一种高温超导涂层导体的结构”，专利号：ZL201110341295.5申请
2013年获得台湾正修科技大学资助的“李金盛青年创新奖”
1．指导本课大二学生开展科学研究工作；
2．指导本科生SRTP科技创新项目；
3．指导本科生毕业设计研究工作；
4．指导硕士生科学研究工作。
备注：本单位基本是专职科研单位，教师的主要精力集中在科研工作。
本课题组的科研工作属于交叉学科的科研范围，主要涉及材料，化学，物理，电气等专业方向。
主要招收的专业方向
(1)材料学相关专业
(2)物理学相关专业
(3)化学相关专业，需考材料或物理专业课
(4)电气相关专业，需考材料或物理专业课
雷鸣,副研究员,硕士生导师.西南交通大学.2017-03-16
科学研究.1.2017-03-17
学术成果.1.2017-03-17
荣誉 称号.1.2017-03-18
课程教学.1.2017-03-18
招生要求.2.2017-03-18