管惟炎(中国科学院院士) - 知识百科yizesci.com

管惟炎（1928年8月18日—2003年），生于如东县掘港街道。研制出多种性能达国际先进导材料；解决了第二类超导体临界场与临界电流的起源问题；研究发现了超导体在磁场中转变时的负磁阻效应。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。1980年至1984年，管惟炎任北京中国科学院物理所所长。1985年至1987年，管惟炎担任中国科学技术大学校长。1991年，管惟炎远赴台湾，成为台湾清华大学物理系教授。2003年3月20日，管惟炎在台湾台中市因车祸去世。

人物生平

1928年8月18日，管惟炎出生于如东县。

1943年，管惟炎刚满15岁就在掘港中学参加共产党领导的抗日地下工作，散发传单，张贴标语。

1944 年，管惟炎担任地下刊物《寒星》的主编，先后出刊十多期，反对奴化教育，唤醒学生民族意识，揭露讽刺敌伪无耻、罪恶行径。

1945年，管惟炎加入中国共产党，任支部干事，并担任苏皖一分区掘港青年联合会主席、黄海剧团团长和如东中学学生会主席等职。

1946年春，根据组织安排，18岁的管惟炎离开家乡，到东北解放区工作。

1949年秋，管惟炎被保送到哈尔滨工业大学学习，同时兼任政治教研室负责人和政治教员。

1951年，管惟炎以优异成绩考取清华大学物理系。

1953年，管惟炎被派往苏联留学，先后在列宁格勒大学、第比利斯大学和莫斯科国立大学物理系学习，专业为低温物理。他在莫斯科大学学习期间，由于成绩突出，被选送到著名物理学家卡皮查（后来获诺贝尔物理学奖）领导的物理研究所完成毕业论文，他以构思巧妙的实验发现了“反向卡皮察热阻”。

1957年，管惟炎毕业于苏联莫斯科大学。

1958年，管惟炎在全苏低温物理大会上宣读了自己的毕业论文，语惊四座。他被学校推荐并由苏联物理问题研究所卡皮察所长挑选为物理问题研究所的研究生，他把自己的研究成果写成论文《对于固体与超流氦之间界面上温度不连续性的研究》，该文成为此课题研究中的经典之作。

1960年，管惟炎获苏联科学院物理研究所副博士学位，同年，他回到祖国，任职于中国科学院物理研究所，后历任副研究员（1966）、研究员（1978）、副所长（1978）、所长（1981）。管惟炎担任中科院物理研究所所长以后，对于物理所的学术研究和行政管理，作了许多重大的改革，对推进中国低温物理和超导材料的研究，有着重大贡献。超导物理学是管惟炎回国后从事研究的主要领域，他首先在国内倡导并进行强磁场超导材料的研究。管惟炎与其他科学家合作，用实验证明，强磁场超导体的高临界场与大电流密度有完全不同的起源。这一研究成果对于我国随后进行的实用超导材料的研制在工艺上有重要的指导意义。他们的论文于1964年分别发表在《中国科学》（英文版）和《物理学报》上，这是国内发表的第一篇在超导实验研究方面得到重要成果的论文。1965年秋，管惟炎等人研制成功-锆和铌-钛超导线材，并于年底用此线材绕制成国内第一个高场超导磁体，产生4.4万高斯的磁场。1966年初，他们又制成产生6.6万高斯的超导磁体，使我国在这方面的水平位居世界前列。

1976年，在管惟炎等人的倡导下，召开了全国第一届高Tc超导体研究。此后，每两年召开一次全国高临界参数超导体会议，对我国超导研究工作起了重要的推进作用。经管惟炎等人的倡议，中国的高临界温度超导体的研究从1976年开始启动，物理所在非常规超导体和亚稳相方面都取得了重要研究成果。

1980年，管惟炎当选为中国科学院学部委员(院士)。同年，他在法国访问和工作时，在对急冷铝硅合金超导电性的研究中又有重大发现。

1984年~1988年，管惟炎任中国科学技术大学物理系主任。

1985年4月至1987年1月，管惟炎出任中国科技大学校长（1984年9月至1985年4月为代理校长）。当时的科技大学办学条件很差，但他全面推行改革，很快改变学校面貌，使中国科学技术大学身于全国一流名校。在校长任内，他对研究生招生制度进行了大胆改革，“本硕贯通”这一改革举措最早便是香港科技大学推出的。

1991年，管惟炎任台湾清华大学物理系教授。

管惟炎主要从事低温与超导研究，曾担任《低温物理学报》主编，在反向卡皮查热阻问题、强磁场超导材料、超导磁体研制、第二类超导体、超导体负磁阻效应、高温超导研究、同步辐射加速器建设等方面取得突出成就，与他人合著有《超导电性》(一、二卷)、《超导研究75年》，并合作研制了几种具有国际水平的国产超导材料。他解决了第二类超导体临界场与临界电流的起源问题，发明了一种测量强场超导材料临界特性的新方法，验证了超导体的相变热力学关系式。

2003年3月20日，管惟炎逝世。

主要成果

学有建树

管惟炎在莫斯科大学学习期间，由于成绩突出，被选送到著名物理学家卡皮查（后来获诺贝尔物理学奖）领导的物理研究所。1957年，他以构思巧妙的实验发现了“反向卡皮察热阻”。1958年，由于论文具有创造性而提前毕业，被学校推荐并由卡皮察所长挑选为苏联科学院物理问题研究所研究生，继续从事卡皮察热阻的研究。他提出了非晶态层对声子失匹配有重要影响的物理模型，其论文《对于固体与超流氮之间界面上温度不连续性的研究》，成为国际上研究“卡皮察热阻”问题的早期主要文献之一。

科研突破

1960年，管惟炎回国后，致力于强磁场超导材料和超导体的研制，使几种国产超导材料性能达到国际先进水平，开创了中国超导体大规模研制和应用的新局面。管惟炎在国家超导体研究的发展中所起的作用是独特的。他所领导的研究小组，初步建立了超低温、超高真空、低温下声子谱的测量、超声测量、比热测量等一整套的实验装置。用实验证明了强磁场超导体的高临界场与大电流密度有完全不同的起源。这一研究成果对于国家随后进行的实用超导材料的研制在工艺上有重要的指导意义。1965年秋，他与其他科学家合作，研制成功锯﹣错和锯﹣钛超导线材，并于年底用此线材绕制成国内第一个高场超导磁体，产生4.4万高斯的磁场。1966年初，又制成产生6.6万高斯的超导磁体，使中国在这方面的水平位居世界前列。1980年，他发现了急冷Al-Si超导合金在正常一超导转变时的负磁阻效应；他提出的两相模型的解释已为金相分折、低温比热实验所证实。

管理创新

在低温物理和超导研究方面，管惟炎还做了大量的组织管理工作。20世纪60年代初，他在国内最早倡导、组织有关实用超导材料的研究。1976年，在他的倡导下，召开了全国第一届高Tc超导体研究会议。此后，每两年召开一次全国高临界参数超导体会议，对国家超导研究起了积极推进作用。他担任中科院物理研究所所长以后，在物理所的学术研究和行政管理上，作了许多重大的改革，有力地促进了中国低温物理和超导材料研究工作的开展。

人才培养

他出任中国科技大学校长期间，为了更多地培养高层次人才，在办学条件较差的情况下，全面推行改革管理，很快改变学校面貌，使中国科学技术大学跻身于全国一流名校行列。尤其是对研究生招生制度进行了大胆改革，在全国最早推出了“本硕贯通”这一改革举措，使当时科大考上研究生的比例超过60%，遥遥领先于其他高校。他还注重关心学生疾苦，设身处地解决学生食宿、取暖、入厕等实际问题，为学生在校学习和生活创造良好环境。