王守武(微电子学家、中国科学院院士)

王守武（1919年3月15日—2014年7月30日），男，江苏苏州人，中国共产党党员，半导体器件物理学家，微电子学家，中国科学院院士。

王守武1941年2月从同济大学机电系毕业。1946年获普渡大学硕士学位。1949年2月获美国普渡大学博士学位。1956年受聘为清华大学无线电系第一任半导体教研室主任。1960年任中国科学院半导体研究所副所长。1962年11月任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员。1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。1980年2月任109厂厂长职务。1987年起任中国科学院半导体研究所正研究员。2014年7月30日因病逝世，享年95岁。

王守武是中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。主持研制成功了中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路；组织筹建了中国第一个半导体研究室和全国半导体测试中心。出版了《半导体器件研究与发展-第一册》《VDMOS场效应晶体管应用手册》等4部著作。研究成果先后获中国科学院科研成果奖一等奖2项，中国科学院科技进步奖二等奖4项，以及中国科学院发明三等奖、全国科技大会奖、半导体研究所科技成果奖三等奖等奖项各1项。先后获评全国劳动模范、何梁何利基金奖等荣誉。

人物经历

早期与学业经历

1919年3月15日，王守武出生于苏州市。1923年，4岁的王守武随父来上海市，少年时期基本在苏州、上海两地生活读书。1925年进入上海铁华小学读二年级。1927年转学上海私立民智中小学；同年起王家开始安装电灯，在家中用灯泡做“实验”，在父亲的指导下了解“电”与“灯”的基本常识，以及保险丝的作用。

1930年，王守武在上海私立民智中小学读小学六年级；同年秋，在民智中小学升入初中一年级。1931年转学入上海侨光中学。1932年进入上海青年中学高中。1934年转学进入苏州省立苏州中学。

1935年，王守武在江苏省苏州中学校校刊上发表“圆周率π的级数展开”；同年秋，从苏州中学普通高中肄业，进入同济大学读预科。1936年回苏州市参加中学会考，获得中学毕业文凭；同年进入同济大学工学院机电系学习。1937年升入同济大学机电系二年级。后日本帝国主义全面发动侵华战争；1937年10月，到金华同济大学临时校址报到。1938年被迫随同济大学迁往赣州市。1939年与同济大学的师生一起先集中到龙州县，再到凭祥市，出镇南关（今友谊关），绕道越南，至1939年春节前到达昆明市。

1941年2月，王守武在昆明从同济大学机电系毕业；同年到昆明中央机器厂工作。1942年进入中国工合翻砂实验工厂任工务部主任。1943年年初，辞去工务部主任职务，转回母校同济大学任教。1944年在重庆考取自费留学生，被美国麻省理工学院录取，但因肺病回昆明家中调养，留学被延误。1945年8月，被普渡大学录取；同年10月，王守武前往美国，进入普渡大学工程力学系师从斯特姆攻读硕士研究生。1946年获普渡大学硕士学位。后师从詹姆斯攻读博士研究生，1949年2月获美国普渡大学博士学位并留校任教。

工作经历

1950年，王守武回到中国；年底，受聘于中国科学院应用物理研究所，同时受聘于华北大学工学院（现北京理工大学），期间为抗美援朝战争前线的志愿军设计特殊的车灯和路标。1951年为西藏自治区地区设计太阳灶；同年开始氧化亚铜半导体整流器的研究。1952年组织应用物理所电学组开展了半导体整流器的实验研制工作，绕制了烧铜氧化物整流器的电炉，并设计配制了利用电子管的温度控制器，并用各种不同大小及纯度的铜片试制氧化铜整流器，同时开始开展pbs整流器研究。1955年领导应用物理所电学组制作硫化铅光敏电阻，得到比较稳定而又相当灵敏的光敏电阻。1956年受聘为清华大学无线电系第一任半导体教研室主任，亲自授课，并组织领导了锗单晶材料的制备工作。1957年，设计并指导制作中国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于11月领导应用物理所半导体研究室，成功拉制出中国第一根锗单晶，领导半导体研究室研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术。1959年，领导109厂为研制109乙型计算机的计算技术研究所，提供了12个品种、14.5万余只锗高频合金扩散晶体管，完成该机所需的半导体器件的生产任务，为“两弹一星”任务提供了技术保证。

1960年4月起，担任中国科学院物理研究所半导体研究所筹委会副主任；同年任中国科学院半导体研究所副所长；6月，应用物理所有机半导体研究无果而终，这一年，王守武还加入了中国共产党。1961年提出“用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命”的方法；同年，随中国科学院代表团赴英国进行考察。1962年11月，王守武任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员；组织开展了硅提纯设备和单晶炉的设计、晶体管制造工艺中新技术所用设备的设计。1963年11月，随中国学术代表团赴日本访问。1965年和刘东源县开展微波、光谱及基础电子理论的研究。1966年8月，156工程的第一台样机研制成功。1968年12月，在“清理阶级队伍”运动中被隔离审查。1969年3月隔离审查结束。

1973年9月，率中国电子器件考察团赴日本考察。1974年与赵礼庆、金才政共同研制成功单路及三路半导体激光通信机。1975年研究人员在实验中偶然发现了Gunn器件畴雪崩弛豫振荡现象，王守武开始开展这方面研究。1978年10月，受命负责4千位MOS动态随机存储器这一大规模集成电路的研制任务。1979年9月28日，研制成功大规模集成电路4千位MOS动态随机存储器，批量成品率达20%，最高达40%，为当时中国国内最高水平；同年10月起，开始领导16千位MOS动态随机存储器的研制及PNPN负阻激光器的研制工作。

1980年2月，兼任109厂厂长职务，主要从事提高大规模集成电路成品率的工作；同年当选为中国科学院学部委员（院士）。1983年领导集成电路用清洗机的研制；通过计算机的模拟计算，分析了静止畴的存在与转变条件，计算得到的畴的静止-渡越--静止-畴雪崩过程，并很快被实验所证实。1987年起任中国科学院半导体研究所正研究员。1991年4月，随中国科学院代表团赴苏联进行考察；1992年4月，赴美国进行考察。2000年获何梁何利基金奖。

人物逝世

2014年7月30日，王守武因癌症医治无效在美国逝世，享年95岁。

主要成果

王守武主持研制成功了中国第一只化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路，在研究与开发中国半导体材料、半导体器件及大规模集成电路方面做出了重要贡献。

半导体激光器研制

1954年，王守武了解到新一代电子器件半导体晶体管已在国外广泛应用，并预见到这一划时代的变革将会引起电子技术的一次新的革命，他组织领导了锗单晶材料制备的研究工作，一面抓锗材料的提纯，一面亲自设计制造了中国第一台制备半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底拉制成功了中国第一根锗单晶，后研制成功了锗晶体二极管和锗合金结晶体管。美国于1962年用砷化镓半导体材料制成了第一只激光器，王守武便组织力量展开研究，并于1963年组建了半导体激光器研究室。先后领导并参与了中国第一台半导体激光器的研制，实现了半导体激光器的连续激射，并开展半导体负阻激光器以及激光应用的研究工作，为中国在该领域的技术进步奠定了基础。还亲自指导参与了激光通信机和激光测距仪的研制工作，支援了国防现代化和国民经济建设。

大规模集成电路研制

1978年10月，王守武承担了研制大规模集成电路——4000位MOS随机存储器的工作，顺利在面积不足4×4平方毫米的单元晶圆上，制作出由1.1万多个晶体管、电阻、电容等元件构成的电子电路。在团队努力下，大规模集成电路样品的成品率提高到了20%~40%，是当时中国国内大规模集成电路研制中的最高水平。此外，还研制成功了4千位、16千位的DRAM大规模集成电路。